湿法刻蚀相对于等离子刻蚀的缺点

等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法:反应性等离子体(RIE)，顺流等离子体(downstream)，直接等离子体(direction plasma)。

1. 硅片水平运行，机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小);

2. 下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3. 传动滚抽易变形(PVDF，PP材质且水平放置易变形);

4. 成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。

此外，有些等离子刻蚀机，如SCE等离子刻蚀机还具备"绿色"优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:

直接模式--基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上，以获得最大的平面刻蚀效果。

各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀

各向同性刻蚀与非各向同性刻蚀

定向模式--需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。

下游模式--基片可以放置在不带电托架上，以便取得微小的等离子体效果。

定制模式--当平面刻蚀配置不过理想时，特制的电极配置可以提供。