等离子刻蚀工艺--装片

等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。

冷热探针法

将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。

等离子刻蚀检验原理为冷热探针法，具体方法如下:

热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。

同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。

此电势差可以用简单的微伏表测量。

热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。

折叠编辑本段等离子刻蚀的测量与控制

由于等离子刻蚀机工艺中的过程变量，如刻蚀率、气压、温度、等离子阻抗，等等，不易测量，

折叠因此业界常用的测量方法有

虚拟测量(Virtual Metrology)

光谱测量(Optical emission spectroscopy)

等离子阻抗监控(Plasma impedance monitoring)

终端探测(end-point detection)

远程耦合传感(remote-coupled sensing)

折叠等离子刻蚀过程的常见控制方法有

run-to-run 控制(R2R)

模型预测控制(MPC)

人工神经网络控制

折叠等离子刻蚀检验操作及判断

1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。

2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。

3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。

4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。