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  • 反应离子刻蚀机是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统

    反应离子刻蚀机是一款独立式RIE反应离子刻蚀系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品。具有不锈钢柜子以及13"的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2"
    Release time:2019-11-18   Number of clicks:46

  • 刻蚀的具体过程可描述几个步骤?

    当刻蚀气体被通入刻蚀反应腔中,在射频电场的作用下产生等离子体辉光放电,反应气体分解成各种中性的化学活性基团,分子、电子、离子;由于电子和离子的质量不同使得质量较轻的电子能够响应射频电场的变化而离子却不能,正是这种差异在电极上产生负偏压Vd
    Release time:2019-10-28   Number of clicks:44

  • 赛森电子科技是做什么的?

    苏州赛森电子科技有限公司成立于2014年,是一家为国内半导体,MEMS及光电产业客户提供再制造设备,零配件及服务的公司。我们的核心产品线包括NovellusC1/C2PECVD,LamRainbow/TCP系列刻蚀机以及AMATP5
    Release time:2019-10-28   Number of clicks:55

  • 等离子蚀刻机(干刻)与等离子清洗机是一件事吗

    等离子刻蚀机主要采用射频等离子源(也有采用微波离子源)激发反应气体产生等气体离子对目标物进行物理轰击,以达到去除指定物质手段。因为反应力度要求较大,所以等离子刻蚀机基本是采用RF射频等离子发生方式。同理,如果控制等离子源功率和其他相关参数可
    Release time:2019-10-15   Number of clicks:22

  • 蚀刻机产业的全新时代

    起初蚀刻机产业也是由生产效率低,资金缺失,造成企业发展缓慢止步不前。但是国人是坚强的,不甘落后。努力学习生产技术,借鉴国外精英厂商的先进生产技术,也一步一步进行着设备升级,研发新科技产品。蚀刻机在我国存在也有几十个年头了,期间有不少的厂家兴
    Release time:2019-09-03   Number of clicks:44

  • 等离子刻蚀工艺--装片

    等离子体系统效应的过程转换成材料的蚀刻工艺。在待刻蚀硅片的两边,分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板,叠放整齐,用夹具夹紧,确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。冷热探针法冷热探针法将夹具平稳放入反应室的支架上,关好反应室的盖子。等离子刻蚀检验
    Release time:2019-08-27   Number of clicks:33

  • 什么公司会用到等离子刻蚀机?

    从某种程度来讲,等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应,反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等
    Release time:2019-07-26   Number of clicks:45

  • 赛森电子带您了解高真空磁控溅射台

    赛森电子带您了解高真空磁控溅射台1.设备基本构造形式:该设备系是涡轮分子泵+机械泵抽气的单室高真空全不锈钢系统。主真空室下底盘上安装ф50三支磁控靶。真空室上盖上安装样品转盘,样品转盘由水冷和加热炉两套组成,二者不能同时兼用,只能交替使用
    Release time:2019-07-26   Number of clicks:41

  • 半导体设备硅刻蚀机概述

    在众多半导体工艺中,刻蚀是决定特征尺寸的核心工艺技术之一。刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀采用化学腐蚀进行,是传统的刻蚀工艺。它具有各向同性的缺点,即在刻蚀过程中不但有所需要的纵向刻蚀,也有不需要的横向刻蚀,因而精度差,线宽一般在3um
    Release time:2019-07-09   Number of clicks:45

  • 赛森电子科技告诉你磁控溅射的种类

    磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点:利用磁场与电场交互作用,使电子在靶表面附近成螺旋状运行,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。磁控溅射台所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。靶源分平衡和非平衡式,平衡
    Release time:2019-06-24   Number of clicks:44

  • How to improve the sputtering efficiency of magnetron sputtering station?

    Thesputteringmethodofthemagnetronsputteringstationisgenerallynotefficient.Inordertoincreasethesputterin
    Release time:2018-01-04   Number of clicks:49